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    石墨烯晶體生長爐

    【產品名稱】石墨烯晶體生長爐

    【額定溫度】1200℃

    【控溫精度】±1℃ 

    【應用領域】高質量石墨烯的可控制備是各種基礎研究和應用開發的基礎,是迫切需要進行深入研究的重大基礎科學問題之一。石墨烯的可控制備涉及到對其大小、形貌、邊界、晶體結構的完美程度、摻雜等方面的控制。本設備以化學氣相沉積方法(CVD)生長石墨烯,大尺寸石墨烯產品的制備,爐管管徑200mm,加熱區2000mm,12個溫區多段控制,計算機DCS集成控制,溫場梯度控制,溫場穩定,均勻,產成品高。

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    商品描述

    【產品名稱】石墨烯晶體生長爐

    【額定溫度】1200℃

    【控溫精度】±1℃ 

    【應用領域】高質量石墨烯的可控制備是各種基礎研究和應用開發的基礎,是迫切需要進行深入研究的重大基礎科學問題之一。石墨烯的可控制備涉及到對其大小、形貌、邊界、晶體結構的完美程度、摻雜等方面的控制。本設備以化學氣相沉積方法(CVD)生長石墨烯,大尺寸石墨烯產品的制備,爐管管徑200mm,加熱區2000mm,12個溫區多段控制,計算機DCS集成控制,溫場梯度控制,溫場穩定,均勻,產成品高。


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